
小米在玄戒技术沟通会上发布了第二代自研 SoC 玄戒 O3,采用 10 核全大核架构,多核性能刷新行业纪录。同时推出面向大模型推理的 O100 AI 加速芯片和面向智驾的 D100 芯片,构建了覆盖手机、AI 推理、智能驾驶的完整端侧算力布局。
在智能手机行业,芯片自研能力已成为衡量一家厂商技术实力的核心标尺。近期,小米通过一场技术沟通会,对外展示了其在端侧 AI 与高性能计算领域的最新成果,不仅刷新了手机 SoC 的性能上限,更将视野投向了大模型推理与智能驾驶的广阔天地。
当行业还在围绕单核频率进行微调时,小米的研发团队选择了一条不同的路径。从官方披露的信息来看,新一代玄戒 O3 芯片采用了 6 颗超大核与 4 颗大核组成的 10 核全大核 CPU 架构,最高主频可达 4.35GHz。这种设计思路的核心在于,通过提升多核并行处理能力来应对日益复杂的应用场景,而非单纯追求极限单核性能。
为了容纳这 10 个高性能核心,O3 的芯片面积从上一代的 109mm² 扩大至 133mm²,晶体管数量也提升至 240 亿,相比前代增加了 26%。在 3nm 先进工艺的加持下,这种规模的扩充带来了显著的多核性能提升。根据小米实验室的数据,O3 在 Geekbench 6.5 测试中的多核成绩突破了 1.5 万分,这一数字甚至超过了行业标杆产品。
然而,全大核架构带来的挑战同样明显——功耗与发热控制。在用户日常使用中,刷视频、浏览网页等轻负载场景占据了绝大多数时间。如果大核无法及时降频,高性能反而会成为续航的负担。对此,小米特别强调了 O3 在中低负载区间的功耗优化,官方数据显示,在覆盖 80% 日常使用场景的负载区间内,O3 的功耗相比上一代降低了 25%。
当 CPU、GPU 和 NPU 的算力同步提升后,芯片设计面临的下一个挑战便是数据搬运效率。这如同一个顶级厨房,无论厨师技艺多么精湛,如果食材供应通道狭窄,整体出餐效率依然会受限。
为了解决这一瓶颈,O3 在内存子系统上进行了大幅革新。该芯片行业首发支持 4×24bit 位宽、10667Mbps 的 LPDDR6 内存,将内存带宽推升至 113.8GB/s,相比主流的 LPDDR5X 提升了近 50%。同时,芯片内部缓存总量扩充至约 60MB,有效降低了数据访问延迟。在静态访存延迟方面,O3 达到了 82ns,优于苹果 A19 Pro 的 92ns 和上一代 O1 的 121ns。
这种对高带宽和低延迟的追求,在端侧 AI 场景下显得尤为重要。大模型在生成每一个 token 时,都需要从内存中完整读取数十亿参数的权重数据。为了应对这一挑战,O3 配备了 200TOPS 的 A8W4 张量算力,并针对定制的 Xiaomi MiMo 5 值量化模型,引入了硬件霍夫曼无损压缩技术,可节省 30% 的内存带宽占用。在官方实验室环境下,MiMo 3B 模型的推理速度提升了 45%,而运行功耗降低了 26%。
如果说 O3 是面向智能手机的通用解决方案,那么玄戒 O100 则是小米在 AI 算力领域投下的另一枚重磅棋子。O100 是一颗完全面向大模型推理的高带宽 AI 加速芯片,其设计思路更为激进。
O100 采用了 Wafer on Wafer 晶圆级 3D 堆叠与 Hybrid Bonding 混合键合技术,将两层高速 AI 专用 DRAM 晶圆与一层高性能 NPU 晶圆在垂直方向直接键合。通过 258 万个物理键合节点相连,TSV 硅通孔孔径仅为 0.7μm,这种微米级的物理互联距离将内存带宽推升至惊人的 1.22TB/s,达到主流旗舰手机 LPDDR5X 的 16 倍。在小米实验室的测试中,O100 配合 Xiaomi MiMo 模型跑出了最高 330Tokens/s 的本地推理速度。
值得注意的是,小米的芯片布局并未止步于手机和 AI 加速器。面向智能驾驶场景,小米还推出了玄戒 D100 芯片。这款采用 3nm 工艺的智驾芯片配备了 20 核 CPU 与 16 核 NPU,最高支持 160GB 的统一内存,官方确认已在本地成功部署 200B 参数规模的模型,并计划于明年正式商用。
小米在端侧 AI 芯片领域的持续投入,反映了中国科技企业在 AI 算力自主化道路上的共同方向。与此同时,国内其他厂商也在积极布局。例如,百度文心一言、阿里通义千问、DeepSeek 等大模型团队,都在探索如何更好地在端侧设备上运行高效模型。与苹果、高通等国际巨头相比,国内厂商的优势在于能够更紧密地将芯片设计与本土应用场景结合,实现软硬件的深度协同优化。
从行业发展趋势来看,端侧 AI 的竞争已从单纯的算力比拼,转向了包括内存带宽、功耗控制、模型优化在内的综合能力较量。小米此次发布的多款芯片,正是这一趋势的集中体现。
玄戒 O3 采用了 10 核全大核 CPU 架构,由 6 颗超大核和 4 颗大核组成,最高主频达到 4.35GHz,重点强化多核并行处理能力,而非单纯追求单核极限频率。
O100 通过 Wafer on Wafer 晶圆级 3D 堆叠和 Hybrid Bonding 混合键合技术,将 DRAM 晶圆与 NPU 晶圆垂直键合,利用微米级物理互联将内存带宽推升至 1.22TB/s,是主流 LPDDR5X 的 16 倍。
D100 是面向智能驾驶场景的高算力 AI 芯片,采用 3nm 工艺,配备 20 核 CPU 与 16 核 NPU,最高支持 160GB 统一内存,已成功部署 200B 参数模型,计划明年商用。
主要挑战在于数据搬运效率。随着算力提升,内存带宽和延迟成为瓶颈,需要从架构层面优化数据通路,同时兼顾功耗控制,才能实现高性能与长续航的平衡。
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